-
1 фотодиод с барьером Шоттки
фотодиод с барьером Шоттки
Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
13. Фотодиод с барьером Шоттки
D. Schottky-Photodiode
E. Schottky-Barrier-Photodiode
-
Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > фотодиод с барьером Шоттки
-
2 фотодиод с барьером Шоттки
фотодиод с барьером Шоттки
Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
13. Фотодиод с барьером Шоттки
D. Schottky-Photodiode
E. Schottky-Barrier-Photodiode
-
Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > фотодиод с барьером Шоттки
-
3 контакт
контакт м. Anfahren n; Anlage f; Anliegen n; Anschluß m; Berührung f; Berührungsschicht f; маш.,техн. Eingriff m; хим. Katalysator m; Kontakt m; эл. Kontaktglied n; Kontakthof m; хим. Kontaktkörper m; Kontaktschicht f; хим. Kontaktstoff m; Kontaktstück n; хим. Kontaktsubstanz f; геол. Kontaktzone f; Schaltstück nконтакт м. покоя Auskontakt m; эл. Ausschaltkontakt m; Ruhekontakt m; Ruhestromkontakt m; Öffnungskontakt m -
4 фотодиод
фотодиод
Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
11. Фотодиод
D. Photodiode
E. Photodiode
F. Photodiode
-
Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > фотодиод
-
5 фотодиод
фотодиод
Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
11. Фотодиод
D. Photodiode
E. Photodiode
F. Photodiode
-
Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > фотодиод
-
6 фотодиод
фотодиод
Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
11. Фотодиод
D. Photodiode
E. Photodiode
F. Photodiode
-
Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > фотодиод
-
7 запирающий слой
запирающий слой
Ндп. запорный слой
Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом.
[ ГОСТ 15133-77]
запирающий слой
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > запирающий слой
-
8 запирающий слой
запирающий слой
Ндп. запорный слой
Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом.
[ ГОСТ 15133-77]
запирающий слой
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > запирающий слой
-
9 запирающий слой
запирающий слой
Ндп. запорный слой
Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом.
[ ГОСТ 15133-77]
запирающий слой
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > запирающий слой
См. также в других словарях:
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Фотоэдс — электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике (См. Полупроводники) при поглощении в нём электромагнитного излучения (фотонов). Появление Ф. (фотовольтаический эффект) обусловлено пространственным разделением генерируемых излучением… … Большая советская энциклопедия
Электронно-дырочный переход — (p n переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… … Большая советская энциклопедия
Фотодиод — 11. Фотодиод D. Photodiode E. Photodiode F. Photodiode Полупроводниковый диод с р п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ — разность потенциалов, возникающая между разными контактирующими проводниками в условиях термодинамич. равновесия. Если два тв. проводника привести в соприкосновение, то между ними происходит обмен эл нами. В результате проводники заряжаются (с… … Физическая энциклопедия
фотодиод с барьером Шоттки — Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом. [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN Schottky Barrier Photodiode DE Schottky Photodiode … Справочник технического переводчика
Фотодиод с барьером Шоттки — 13. Фотодиод с барьером Шоттки D. Schottky Photodiode E. Schottky Barrier Photodiode Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом Источник: Г … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ШОТТКИ БАРЬЕР — потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом; исследован В. Шоттки (W. Schottky) в 1939. Для возникновения Ш. б. необходимо, чтобы работы выхода электронов из металла Ф M и полупроводника Ф п были… … Физическая энциклопедия
Барьер Шоттки — (или Шотки, (англ. Schottky barrier)) потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или… … Википедия
Шотки барьер — Потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом; назван по имени немецкого учёного В. Шотки (W. Schottky). исследовавшего такой барьер в 1939. Для возникновения потенциального барьера… … Большая советская энциклопедия
